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70T651S12BF8

HIGH-SPEED2.5V256/128Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3V0R2.5VINTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:10/12ns(max.) ◆RapidWriteModesimplifieshigh-speedconsecutivewrite cycles ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansion

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細參數

  • 型號：

    IDT70T651S12BF8

  • 功能描述：

    IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    3,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    8K(1K x 8)

  • 速度：

    400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應商設備封裝：

    8-SOIC

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IDT70T651S12BF8供應商 更新時間2024-11-20 16:30:00

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