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IQTCQO-252KS

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCQO-252KU

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCQO-252KX

TemperatureCompensatedCrystalOscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IQTCXO-252

Temperaturecompensatedcrystaloscillators

Description ■IQTCXO-250,-251,-252aretemperaturecompensatedcrystaloscillators(TCXOs),providingahighdegreeoffrequencystabilityoverawidetemperaturerange. Waveform ■ClippedSine1Vpk-pkmin ■SquareHCMOS ■ClippedSine0.7Vpk-pkmin PackageOutline ■14pinDILcomp

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IRF252

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on) ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highvoltage)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF252

HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries

FEATURES: ?Fastswitchingtimes ?LowRDS(on)HDMOS?process ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Excellenthighvoltagestability ?Lowinputcapacitance ?Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: ?Switchingpowersupplies ?Motorcontrols ?AudioAmplifiers ?Invert

IXYS

IXYS Corporation

IRF252

N-CHANNEPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF252

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ?LowRds(on))athighvoltage ?ImprovedInductiveruggedness ?Excellenthighvoltagestability ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysillcongatecellstructure ?LowInputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability ?TO-3package(Highv

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IRF252

NanosecondSwitchingSpeed

DESCRIPTION ?DrainCurrentID=25A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage:VDSS=200V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.12Ω(Max) ?NanosecondSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Switchingpowersupplies ?Switchingconverters,motordriver,relaydriver

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP252

N-ChannelPowerMosfets

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    ICS252PM

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器

  • 系列：

    VersaClock?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 類型：

    時(shí)鐘/頻率合成器，扇出配送，擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘發(fā)生器

  • PLL：

    帶旁路

  • 輸入：

    時(shí)鐘，晶體

  • 輸出：

    CMOS

  • 比率 - 輸入：

    1：2

  • 差分 - 輸入：

    無/無

  • 頻率 - 最大值：

    200MHz

  • 分頻器/倍頻器：

    是/是

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC CLK SYNTHESIZER FP DUAL 8SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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8SOIC
9000
原裝正品，支持實(shí)單
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IDT
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SOP8
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
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Renesas Electronics America In
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8-SOIC(0.154 3.90mm 寬)
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多ICS252PM供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 9:52:00

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