| 零件編號(hào) | 下載 訂購(gòu) | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-ChannelMosfetTransistor ?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.044? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperat | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=44m? ID=33A Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethrougho | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
SEMICONDUCTORS | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商 | etc2 | ||
33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,PowerMOSFET Features ?UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V ?SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE?andSABER ElectricalModels -SpiceandSABER ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com ?PeakCurrentvsPulseWidthCurve ?UISRatingCurve | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A) AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede | IRF International Rectifier | IRF | ||
HEXFET?PowerMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
UltraLowOn-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
IscN-ChannelMOSFETTransistor ?FEATURES ?WithTo-262package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
HEXFET?PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p | IRF International Rectifier | IRF |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
- 性質(zhì)：
射頻/高頻放大 （HF）_寬頻帶放大 （A）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
160V
- 最大電流允許值：
0.6A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
0.625W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-11
- vtest：
160
- htest：
999900
- atest：
0.6
- wtest：
0.625
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
HY540
- 制造商：
Vishay Sprague
- 功能描述：
CAPACITOR, CERAMIC DISC, 25 V, Y5S, 0.068 UF, THROUGH HOLE MOUNT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
75000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
HYNIX/海力士 |
23+ |
FBGA |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
YUEQING HONGYU ELECTRONICS CO, |
兩年內(nèi) |
NA |
53 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
OTHER/其它 |
21+ |
原廠原封 |
5000 |
全新原裝 現(xiàn)貨 價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
華羿微 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
HOOYI |
2022+ |
TO-247 |
50000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
華裔 |
21+ |
TO-247-3L |
7540 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
華羿微 |
22+ |
TO-247 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
華羿微 |
24+ |
NA/ |
10 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
HOOYI |
23+ |
TO-247 |
6800 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
