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HY51VS18163HG

1M x 16Bit EDO DRAM

DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多HY51VS18163HG供應(yīng)商 更新時間2025-1-11 11:09:00

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