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HY51VS18163HG

1M x 16Bit EDO DRAM

DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多HY51VS18163HG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-19 16:42:00

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