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HY57V161610DTC-6

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHyundaiHY57V161610Disa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedforthemainmemoryandgraphicapplicationswhichrequirelargememorydensityandhighbandwidth.HY57V161610Disorganizedas2banksof524,288x16. HY57V161610Disofferingfullysync

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

HY57V161610DTC-6I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION THEHynixHY57V161610Disa16,777,216-bitsCMOSSynchronousDRAM,ideallysuitedfortheMobileapplicationswhichrequirelowpowerconsumptionandindustrialtemperaturerange.HY57V161610Disorganizedas2banksof524,288x16. HY57V161610Disofferingfullysynchrono

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    HY57V161610DTC-6

  • 制造商:

    SK Hynix Inc

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更多HY57V161610DTC-6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-30 16:16:00