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HY51V18163HGT-6

1M x 16Bit EDO DRAM

DESCRIPTION TheHY51V(S)18163HG/HGListhenewgenerationdynamicRAMorganized1,048,576wordsx16bit.HY51V(S)18163HG/HGLhasrealizedhigherdensity,higherperformanceandvariousfunctionsbyutilizingadvancedCMOSprocesstechnology.TheHY51V(S)18163HG/HGLoffersExtendedDataOutPage

HynixHynix Semiconductor

海力士海力士半導(dǎo)體

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更多HY51V18163HGT-6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-11 16:30:00

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