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IGCS-E131GP	文件：844.79 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
IGPCS-E131GP	文件：789.66 Kbytes Page：3 Pages	Industrial4-portPCIeunmanagedGigabitPoEEthernetswitchcard	ORING ORing Industrial Networking Corp	ORING
INA131	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA131AP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131AP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA131BP	文件：113.51 Kbytes Page：10 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA131BP	文件：126.58 Kbytes Page：11 Pages	PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
IRF131	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF131	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF131	文件：198.96 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFF131	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESS GE Solid State	GESS
IRFP131	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRFS131	文件：265.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GENERALPURPOSEDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeDiodes	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IS131	文件：351.16 Kbytes Page：1 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
HVU131TRF-E
制造商：
Renesas
功能描述：
Diode PIN Switch 65V 2-Pin URP T/R

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS	24+	SOD-323	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS/瑞薩	1937+	SOD323	9852	只做進(jìn)口原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS	2020+	SOD323	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市萊克訊科技有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS	1922+	SOD323	90000	原裝進(jìn)口現(xiàn)貨庫存專業(yè)工廠研究所配單供貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS/瑞薩	23+	SOD123	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS/瑞薩	2022	SOD123	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	HVU131TRF-E	RENESAS/瑞薩	23+	SOD123	9990	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
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更多HVU131TRF-E供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 13:00:00

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