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INA131AP

Precision G = 100 INSTRUMENTATION AMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA131AP

Precision G = 100 INSTRUMENTATION AMPLIFIER

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

INA131APG4

Precision G = 100 INSTRUMENTATION AMPLIFIER

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

INA131BP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

BURR-BROWN

Burr-Brown (TI)

INA131BP

PrecisionG=100INSTRUMENTATIONAMPLIFIER

TI1Texas Instruments(TI)

德州儀器德州儀器 (TI)

IRF131

N-CHANNELPOWERMOSFETS

FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRF131

N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V

Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IRF131

N-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFF131

N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω

GESS

GE Solid State

IRFP131

N-CHANNELPOWERMOSFETS

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導(dǎo)體

IRFS131

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IS131

GENERALPURPOSEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GENERALPURPOSEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS131

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    INA131AP

  • 功能描述：

    儀表放大器 Precision G = 100 Instrumentation Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 輸入補償電壓：

    150 V

  • 最大輸入電阻：

    10 kOhms

  • 共模抑制比（最小值）：

    88 dB

  • 工作電源電壓：

    2.7 V to 36 V

  • 電源電流：

    200 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 封裝/箱體：

    MSOP-8

  • 封裝：

    Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
BB
2020+
DIP
10
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
TI/德州儀器
22+
DIP8
30000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價
TI/德州儀器
23+
DIP
22800
原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨,誠信經(jīng)營,假一罰十
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TI
21+
DIP
8080
原裝現(xiàn)貨實單必成 只做原裝！
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BURR-BROWN
23+
DIP
98900
原廠原裝正品現(xiàn)貨!!
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TI
23+
PDIP-8
6000
只做原裝
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TI
23+
PDIP-8
6000
原裝，可配單
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BURR-BROWN
2023+
DIP
3500
全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售
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TI/德州儀器
24+
DIP8
3000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價
TI(德州儀器)
23+
PDIP-8
7828
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
更多INA131AP供應(yīng)商 更新時間2024-10-23 13:58:00

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