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HSP9520CS	文件：25 Kbytes Page：4 Pages	Multilevel Pipeline Registers ThesedevicesaremultilevelpipelineregistersimplementedusingalowpowerCMOSprocess.TheyarepinforpincompatiblereplacementsforindustrystandardmultilevelpipelineregisterssuchastheL29C520andL29C521.TheHSP9520andHSP5921aredirectreplacementsfortheAM29520andAM29521	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IF9520NLPBF	文件：415.04 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520	文件：283.31 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9520	文件：282.59 Kbytes Page：9 Pages	FastSwitching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9520	文件：57.96 Kbytes Page：7 Pages	6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFET 6A,100V,0.600Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicati	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF9520	文件：159.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRF9520	文件：371.59 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-6.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9520N	文件：95.8 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.8A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NL	文件：1.16491 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9520NL	文件：166.41 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NL	文件：155.56 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.8A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NPBF	文件：2.90404 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9520NPBF	文件：156.72 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NPBF	文件：165.67 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NS	文件：166.41 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NS	文件：1.06139 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9520NS	文件：155.56 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.48ohm,Id=-6.8A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NSPBF	文件：415.04 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NSPBF	文件：424.17 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9520NSTRL	文件：166.41 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
HSP9520CS
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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更多HSP9520CS供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:15:00

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