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HO-P-4105	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	Current Transducer	LEMLEM Electronics (China) Co., Ltd. 萊姆電子萊姆（LEM）集團(tuán)	LEM
IIRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIRFR4105Z	文件：335.34 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?HighSpeedPowerSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤24.5m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFL4105	文件：168.77 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=3.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105	文件：827.7 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Itsuniquepackagedesignallowsforeasyautomaticpickand-placeaswithotherSOTorSOICpackagesbuthastheaddedadvantageofimprovedthermalperformanceduetoanenla	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL4105	文件：577.74 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelIRFL4105 GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementThisvery highdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistanceandprovide superior switchingperformance,andwithstandhigh energypulse intheavalancheandcommutation modes. Thesedevicesareparticula	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
IRFL4105PBF	文件：158.56 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFL4105PBF	文件：498.91 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IRFL4105PBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL4105TRPBF	文件：163.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFR4105	文件：144.58 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.045ohm,Id=27A??	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105	文件：334.94 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?FastSwitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤45m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFR4105	文件：3.74603 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105	文件：490.14 Kbytes Page：7 Pages	55VN-ChannelMOSFET Description UltraLowOn-Resistance FastSwitching FullyAvalancheRated Lead-Free VDS(V)=50V ID=27A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRFR4105PBF	文件：240.03 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105PBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR4105PBF	文件：3.84606 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105PBF	文件：3.84791 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR4105PBF	文件：244.71 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鵬華威電子有限公司	HOP500-SB	LEM	2024+	SENSOR	271	原廠直銷,支持實(shí)單,保質(zhì)期5年	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	HOP-502W		14+		400	普通	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	HOP-502W		23+		10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種	詢價(jià)
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	HOP600-SB		23+		7300	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
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深圳市明嘉萊科技有限公司	HOP60-48S3V3-LBG	BCT	24+	NA	860000	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市寶隆宏業(yè)科技有限公司	HOP60-48S3V3-LBG	BCT	24+	NA	10000	原裝正品力挺實(shí)單	詢價(jià)
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更多HO-P-4105供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-25 14:30:00

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