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HN1B01FU中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HN1B01FU
廠商型號

HN1B01FU

功能描述

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

文件大小

362.98 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-10 1:10:00

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晶體管資料

  • 型號:

    HN1B01FU

  • 別名:

    HN1B01FU三極管、HN1B01FU晶體管、HN1B01FU晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N/P

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.15A

  • 最大工作頻率:

    120MHZ

  • 引腳數(shù):

    6

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    120000000

  • atest:

    0.15

  • wtest:

    0

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HN1B01FU

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    NPN EPITAXIAL TYPE(AUDIO FREQUENCY GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA
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SOT-363
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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