首頁>HN1B01FDW1T1G>規(guī)格書詳情

HN1B01FDW1T1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

HN1B01FDW1T1G
廠商型號

HN1B01FDW1T1G

功能描述

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

文件大小

69.2 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-23 8:42:00

HN1B01FDW1T1G規(guī)格書詳情

Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor

PNP and NPN Surface Mount

Features

? High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA

? High hFE: hFE = 200~400

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating

? Human Body Model: 3A

? Machine Model: C

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and

PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant*

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    HN1B01FDW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual Complementary

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
22+
NA
8000
原廠原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON
22+
SC-74
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
ON/安森美
2223+
SC74
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
詢價(jià)
ON
20+
SC-74
65300
一級代理/放心購買!
詢價(jià)
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
詢價(jià)
ON/安森美
24+
SC74-6
10000
全新原裝現(xiàn)貨庫存
詢價(jià)
ON/安森美
23+
NA
5750
可訂貨 請確認(rèn)
詢價(jià)
ON
23+
SC-74-6
63000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
ON/安森美
22+
SC-74
41500
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)