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HIP6601BECBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤類別：集成電路（IC）柵極驅(qū)動器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HIP6601CB	文件：84.68 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601CB	文件：234.1 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601CB	文件：241.64 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICPackage ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency ?Three-StateInputfo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6601ECB	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601ECB	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HIP6601ECB-T	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601ECB-T	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HM6601Q	文件：301.29 Kbytes Page：9 Pages	USBChargingPortControllerforFastChargingProtocol	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HVE-6601	文件：1.53182 Mbytes Page：4 Pages	HDMIVideoWalloverIPPoETransmitter/Receiver	LVL1 Level One	LVL1
HVE-6601R	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
HVE-6601T	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LMH6601	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6601	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6601	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMH6601	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
LMH6601MG	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6601MG	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
LMH6601MG/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
HIP6601BECBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
包裝：
管件
驅(qū)動配置：
半橋
通道類型：
同步
柵極類型：
N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電：
10.8V ~ 13.2V
輸入類型：
非反相
上升/下降時間（典型值）：
20ns，20ns
工作溫度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤
供應商器件封裝：
8-SOIC-EP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導體有限公司	HIP6601BECBZ-T	INTERSIL	24+	SOP8	5000		詢價
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更多HIP6601BECBZ-T供應商更新時間2024-12-23 11:22:00

產(chǎn)品屬性

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