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HIP6601ECB-T	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601ECB-T	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	Synchronous Rectified Buck MOSFET Drivers Features ?DrivesTwoN-ChannelMOSFETs ?AdaptiveShoot-ThroughProtection ?InternalBootstrapDevice ?SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns ?Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages ?DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HM6601Q	文件：301.29 Kbytes Page：9 Pages	USBChargingPortControllerforFastChargingProtocol	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HVE-6601	文件：1.53182 Mbytes Page：4 Pages	HDMIVideoWalloverIPPoETransmitter/Receiver	LVL1 Level One	LVL1
HVE-6601R	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
HVE-6601T	文件：1.53183 Mbytes Page：4 Pages	Multicastingandbroadcastingarchitecture	LVL1 Level One	LVL1
IRF6601	文件：130.08 Kbytes Page：8 Pages	DirectFET??PowerMOSFET(Vdss=20V) Description TheIRF6601combinesthelatestHEXFET?PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LMH6601	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6601	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6601MG	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MG	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MG/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6601MGNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGX	文件：1.508 Mbytes Page：27 Pages	250MHz,2.4VCMOSOpAmpwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGX	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601MGX/NOPB	文件：2.12824 Mbytes Page：40 Pages	CMOSOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州儀器德州儀器 (TI)	TI1
LMH6601MGXNOPB	文件：1.26795 Mbytes Page：37 Pages	LMH6601/LMH6601Q250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC
LMH6601Q	文件：1.56586 Mbytes Page：28 Pages	250MHz,2.4VCMOSOperationalAmplifierwithShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司	NSC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
HIP6601ECB-T
制造商：
Intersil Corporation

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	HIP6601ECB-T	INTEL	24+	SOP	2500		詢價
深圳市凌旭科技有限公司	HIP6601ECB-T	INTERSIL	2016+	SOP8	8000	只做原裝,假一罰十,內(nèi)存,閃存,公司可開17%增值稅	詢價
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深圳市宏世佳電子科技有限公司	HIP6601ECB-T	INTERSIL	2023+	SOP8	3565	全新原廠原裝產(chǎn)品、公司現(xiàn)貨銷售	詢價

更多HIP6601ECB-T供應(yīng)商更新時間2024-11-7 11:22:00

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