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HGTP7N60B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTP7N60B3
廠商型號(hào)

HGTP7N60B3

參數(shù)屬性

HGTP7N60B3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 60W TO220AB

功能描述

14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

92.89 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-20 10:36:00

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HGTP7N60B3規(guī)格書詳情

The HGTD7N60B3S, HGT1S7N60B3S and HGTP7N60B3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

Features

? 14A, 600V, TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 120ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTP7N60B3D

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    160μJ(開),120μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    26ns/130ns

  • 測試條件:

    480V,7A,50歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 60W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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