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HGTP7N60B3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
HGTP7N60B3 |
參數(shù)屬性 | HGTP7N60B3 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 60W TO220AB |
功能描述 | 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
92.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Intersil Corporation |
企業(yè)簡稱 |
Intersil |
中文名稱 | Intersil Corporation官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-20 10:36:00 |
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HGTP7N60B3規(guī)格書詳情
The HGTD7N60B3S, HGT1S7N60B3S and HGTP7N60B3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.
Features
? 14A, 600V, TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 120ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
HGTP7N60B3D
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,7A
- 開關(guān)能量:
160μJ(開),120μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
26ns/130ns
- 測試條件:
480V,7A,50歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220-3
- 描述:
IGBT 600V 14A 60W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
20+ |
TO220 |
59 |
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23+ |
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23+ |
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