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HGTP10N120BN_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：HGTP10N120BN品牌：onsemi

資料說明：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

HGTP10N120BN是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-220-3的HGTP10N120BN晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    hgtp10n120bn

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTP10N120BN

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    320μJ（開），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/165ns

  • 測試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
19+
TO220
22500
詢價
onsemi(安森美)
23+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
FAIRCHILD原裝正品專賣
23+
TO-220
59526
專注原裝正品現(xiàn)貨特價中量大可定
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO220
30000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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FAIRCHILD/仙童
24+
TO220
780
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
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FAIRCHIL
23+
TO-220
8600
全新原裝現(xiàn)貨
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仙童
06+
TO-220
5000
原裝庫存
 詢價
FSC
2020+
TO-220
3227
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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2016+
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19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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