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HGTG10N120BND 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 PULSECORE/安森美

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  • 廠(chǎng)家型號(hào)：

    HGTG10N120BND

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商：

    PULSECORE/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12245

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-247

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-11-14 16:35:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠(chǎng)料號(hào)：HGTG10N120BND品牌：ON/安森美

現(xiàn)貨,原廠(chǎng)原裝假一罰十!

  • 芯片型號(hào)：

    HGTG10N120BND

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INTERSIL詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    82.69 kb

  • 資料說(shuō)明：

    35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品參考屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTG10N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    850μJ（開(kāi)），800μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/165ns

  • 測(cè)試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市美思瑞電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    15622671495

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-8395143

  • 傳真：

    0755-83950482

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)47樓4707B

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