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HGTD1N120BNS分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTD1N120BNS
廠商型號

HGTD1N120BNS
參數(shù)屬性

HGTD1N120BNS 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
功能描述

5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文件大小

97.6 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-29 22:38:00
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HGTD1N120BNS規(guī)格書詳情

The HGTD1N120BNS and HGTP1N120BN are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.

Features

? 5.3A, 1200V, TC = 25oC

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical EOFF . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120μJ at TJ = 150oC

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Temperature Compensating SABER? Model

Thermal Impedance SPICE Model

www.fairchildsemi.com

? Related Literature

- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開關能量：

    70μJ（開），90μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    15ns/67ns

  • 測試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

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