HGT1S7N60C3DS_分立半導體產品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導體

原廠料號：HGT1S7N60C3DS品牌：onsemi

資料說明：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

HGT1S7N60C3DS是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導體生產封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的HGT1S7N60C3DS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

• 芯片型號：

  hgt1s7n60c3ds

• 規(guī)格書：

  原廠下載 下載

• 企業(yè)簡稱：

  ONSEMI【安森美半導體】詳情

• 廠商全稱：

  ON Semiconductor

• 中文名稱：

  安森美半導體公司

• 資料說明：

  IGBT 600V 14A 60W TO263AB