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HGT1S14N36G3VLT_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導體

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原廠料號：HGT1S14N36G3VLT品牌：onsemi

資料說明：IGBT 390V 18A 100W TO262AA

HGT1S14N36G3VLT是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA的HGT1S14N36G3VLT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    hgt1s14n36g3vlt

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    IGBT 390V 18A 100W TO262AA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    HGT1S14N36G3VLT

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 5V，14A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/7μs

  • 測試條件：

    300V，7A，25歐姆，5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

  • 供應商器件封裝：

    I2PAK（TO-262）

  • 描述：

    IGBT 390V 18A 100W TO262AA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD
05+
原廠原裝
5016
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
 詢價
FSC/ON
23+
原包裝原封 □□
11447
原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
 詢價
FAIRCH
2020+
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2022+
630
全新原裝 貨期兩周
 詢價
Fairchild/ON
22+
TO2623
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
FS
22+
NA
30000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
FAIRCH
0834+
630
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
ON Semiconductor
2022+
I2PAK(TO-262)
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
FAIRCHILD
2023+環(huán)保現(xiàn)貨
原廠原裝
800
專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務
 詢價
Fairchild/ON
23+
TO2623
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價

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