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HGT1S12N60A4DS_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch弘揚芯城

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  • 廠家型號：

    HGT1S12N60A4DS

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    6000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO2633

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-7 8:00:00

  • 詳細信息
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原廠料號：HGT1S12N60A4DS品牌：onsemi(安森美)

誠信服務(wù)，絕對原裝原盤

  • 芯片型號：

    HGT1S12N60A4DS

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INTERSIL詳情

  • 廠商全稱：

    Intersil Corporation

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    394.53 kb

  • 資料說明：

    600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    HGT1S12N60A4DS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市弘揚芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林書涵

  • 手機：

    19168708380

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  • 地址：

    深圳市華強北南光捷佳大廈2917

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