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HGT1S12N60A4DS

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG12N60A4D,HGTP12N60A4Dand HGT1S12N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-st

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HGT1S12N60A4DS

600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

TheHGTG12N60A4D,HGTP12N60A4Dand HGT1S12N60A4DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-st

Intersil

Intersil Corporation

HGT1S12N60A4S

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTP12N60A4,HGTG12N60A4andHGT1S12N60A4SareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-state

Intersil

Intersil Corporation

詳細參數(shù)

  • 型號：

    HGT1S12N60A4DS

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 12A 600V N-Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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FAIRCHILD
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原裝
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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更多HGT1S12N60A4DS供應(yīng)商 更新時間2025-1-3 17:07:00

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