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H5N2004DSTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features ?Lowon-resistance:RDS(on)=0.38?typ. ?Lowleakagecurrent:IDSS=1μAmax(atVDS=200V) ?Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) ?Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) ?Avalancheratings

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2004DL

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2004DL-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

H5N2004DS

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

H5N2004DS

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    H5N2004DSTL

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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6000
原裝正品，支持實(shí)單
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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更多H5N2004DSTL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-28 17:43:00

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