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H5N2004DS中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H5N2004DS
廠商型號

H5N2004DS

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

91.9 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-14 9:38:00

H5N2004DS規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 ?typ.

? Low leakage current: IDSS= 1 μA max (at VDS= 200 V)

? High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A)

? Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A)

? Avalanche ratings

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    H5N2004DS

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS
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原裝正品,有掛有貨,假一賠十
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原裝正品現(xiàn)貨
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