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H5N2003P-E中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

H5N2003P-E
廠商型號

H5N2003P-E

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件大小

85.73 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-15 20:00:00

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H5N2003P-E規(guī)格書詳情

Features

? Low on-resistance

? Low leakage current

? High speed switching

Drain to Source voltage VDSS 200V

Gate to Source voltage VGSS ±30V

Drain current ID 60A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
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TO-251
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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RENESAS/瑞薩
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TO-251
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