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FQP12N65C

Marking：H12N65P；Package：TO-220AB；N-Channel MOSFET

■Features OriginativeNewDesign SuperiorAvalancheRuggedTechnology RobustGateOxideTechnology VeryLowIntrinsicCapacitances ExcellentSwitchingCharacteristics UnrivalledGateCharge:38nC(Typ.) ExtendedSafeOperatingArea LowerRDS(ON):0.67?(Typ.)@VGS=10V 100%AvalancheTe

HAOHAIHAOHAI ELECTRONICS CO., LTD.

浩海電子深圳市浩海電子有限公司

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更多H12N65P供應商 更新時間2025-3-26 16:04:00

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