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Marking：H10N65ANW；Package：TO-247；650V N-Channel Planar MOSFET Features ?RDSON≤1Ω@Vgs=10V,Id=5A ?UltraLowgateCharge(typicaltypical33.4nC) ?LowCrss(typicaltypical1.04pF) ?Fastswitchingcapability ?100avalanchetested ?Improveddv/dtcapability Applications ?SwitchModePowerSupply( ?UninterruptiblePowerSupply(UPS) ?Power | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司 | SY | ||
Marking：H10N65ANW；Package：TO-247；650V N-Channel Planar MOSFET Features UltraLowgateCharge LowCrss Fastswitchingcapability | SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司 | SY |
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