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NDP02N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDP02N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDT02N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PJM02N60SA

N-EnhancementModeFieldEffectTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導(dǎo)體東莞市平晶半導(dǎo)體科技有限公司

SDU02N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SDUD02N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SGB02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGB02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SGD02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

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InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    H02N60J

  • 制造商：

    HSMC

  • 制造商全稱：

    HSMC

  • 功能描述：

    N-Channel Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
HSMC
23+
NA
1106
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價(jià)
華昕
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TO-252
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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華昕
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TO-252
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
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HSMC
23+
TO252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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H
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TO-252
6000
十年配單,只做原裝
 詢價(jià)
H
23+
TO-252
6000
原裝正品，支持實(shí)單
 詢價(jià)
HSMC
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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更多H02N60J供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 17:00:00

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