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GTVA261701FA-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 50 V, 2620 – 2690 MHz

Description TheGTVA261701FAisa170-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,and athermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNonSiCHEMT

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA261701FA-V1-R0

包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：GAN SIC

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GTVA261701FA-V1-R0

  • 制造商：

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 描述：

    GAN SIC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Wolfspeed, Inc.
24+
NA
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Cree/Wolfspeed
2022+
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原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83271743鄒小姐
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8000
只做原裝現(xiàn)貨
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Infineon Technologies
23+
7000
詢價
更多GTVA261701FA-V1-R0供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 10:12:00

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