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GTVA262701FA-V2-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz

Description TheGTVA262701FAisa270-wattGaNonSiChighelectronmobility transistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpoweramplifier applications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,anda thermally-enhancedsurface-mountpackagewithearlessflange. Features ?GaNon

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

GTVA262701FA-V2-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz

CreeCree, Inc

科銳

GTVA262701FA-V2-R2

包裝:帶 封裝/外殼:H-87265J-2 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    GTVA262701FA-V2-R2

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    GaN

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    HEMT

  • 頻率:

    2.62GHz ~ 2.69GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    270W

  • 封裝/外殼:

    H-87265J-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-87265J-2

  • 描述:

    270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Wolfspeed
3年內(nèi)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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