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GTVA220701FA_V1

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz

Description TheGTVA220701FAisa70-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features ?GaNonSiCHEMT

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GTVA220701FA-V1-R0

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz

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GTVA220701FA-V1-R2

Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 70 W, 50 V, 1805 – 2170 MHz

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包裝：散裝 封裝/外殼：H-37265J-2 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：RF SIC HEMT 70W,1805 - 2170MHZ

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包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：GAN SIC

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供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多GTVA220701FA_V1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 8:24:00

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