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GT80J101	文件：228.88 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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GT80J101B	文件：69.31 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT HighPowerSwitchingApplications ·Enhancementmodetype ·Highspeed:tf=0.40μs(max)(IC=80A) ·Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.9V(max)(IC=80A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
GT80J101A	文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages	Discrete IGBTs	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA

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更多GT80J101供應(yīng)商更新時間2025-3-20 17:22:00