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GT8G131

NCHANNELMOSTYPE(STROBEFLASHAPPLICATIONS)

StrobeFlashApplications ?SuppliedinCompactandThinPackageRequiresOnlyaSmallMountingArea ?4thgeneration(trenchgatestructure)IGBT ?Enhancement-mode ?4-Vgatedrivevoltage:VGE=4.0V(min)(@IC=150A) ?Peakcollectorcurrent:IC=150A(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    GT8G131(TE12L,Q)

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

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更多GT8G131(TE12L,Q)供應(yīng)商 更新時間2025-1-4 14:30:00

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