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GT60N321 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
GT60N321(Q)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,60A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
330ns/700ns
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3PL
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P(LH)
- 描述:
IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
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