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GT40QR21分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

GT40QR21
廠商型號

GT40QR21
參數(shù)屬性

GT40QR21 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
功能描述

Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
封裝外殼

TO-3P-3，SC-65-3
文件大小

230.28 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-10 20:01:00
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GT40QR21規(guī)格書詳情

Features

1. 6.5th generation

2. The RC-IGBT consists of a freewheeling diode monolithically integrated in an IGBT chip.

3. Enhancement mode

4. High-speed switching

IGBT : tf = 0.20 μs (typ.) (IC = 40 A)

FWD : trr= 0.60 μs (typ.) (IF = 15 A)

5. Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.9 V (typ.) (IC = 40 A)

6. High junction temperature : Tj = 175(max)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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