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GT30J101

Silicon N Channel IGBT

DiscreteIGBTs(PDF:875KB)03/2011: http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 *GT30G124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:430V -IGBTCurrentRatingIC(A)@Ta=25C:200A *GT30J124 -BreakdownVoltageVCES(V)@Ta=25C:600V -IGBTCurrentRatingIC(

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT30J101

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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GT30J101

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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GT30J101_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

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30J101

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    GT30J101

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多GT30J101供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 13:58:00

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