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GT30J121

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.):Eoff=0.80mJ(typ.) ?Low

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT30J121

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30J121_06

Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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GT30J121(Q)

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN

Toshiba Semiconductor and Storage

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30J121

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications ?Fourth-generationIGBT ?Enhancementmodetype ?Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.05μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=1.00mJ(typ.):Eoff=0.80mJ(typ.) ?Low

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    GT30J121

  • 制造商：

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述：

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 30A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
24+/25+
154
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
TOSHIBA
23+
TO-3P
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價
Toshiba
24+
NA
3234
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
TOS
23+
TO-3P
3000
專做原裝正品,假一罰百!
 詢價
TOS
1822+
TO-3P(N)
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!!
 詢價
TOS
18+
TO-3P(N)
41200
原裝正品,現(xiàn)貨特價
 詢價
TOSHIBA/東芝
20+
TO3P
35830
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
XTW
24+
QFN
30739
絕對原廠支持只做自己現(xiàn)貨優(yōu)勢
 詢價
TOSHIBA/東芝
2447
TO-3P
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
TO-3P(N)
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多GT30J121供應商 更新時間2025-4-12 14:30:00

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