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HM5806

mobilepowersolutionIC

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

HP5806

PRECISIONBAROMETERANDALTIMETERSENSOR

HOPEHOPE Microelectronics CO., Ltd.

華普微電子深圳市華普微電子股份有限公司

IRF5806

PowerMOSFET(Vdss=-20V)

Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. ●Ultra

IRF

International Rectifier

IRF5806PBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

IRF5806TRPBF

UltraLowOn-Resistance

IRF

International Rectifier

LV5806MX

Step-downSwitchingRegulator

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

NTD5806N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

NTD5806N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTD5806N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5806N

PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5806NG

PowerMOSFET40V,33A,SingleN??hannel,DPAK/IPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTD5806NG

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTE5806

NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27

Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop

NTE

NTE Electronics

NVD5806N

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NVD5806N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

P5806NVG

DualN-Channel60V(D-S)175?CMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

P5806NVG

N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

PT5806

18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

PT5806

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

PT5806A

18AOutputCurrent

TI1Texas Instruments

德州儀器

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更多GSW5806X供應(yīng)商 更新時間2025-1-15 16:52:00

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