IRF5806中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
IRF5806規(guī)格書詳情
Description
These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Low Gate Charge
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
IRF5806
- 功能描述:
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
- RoHS:
否
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列:
HEXFET®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn):
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
TO-220FP
- 包裝:
管件
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
SOT23-6 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
SOT-163 |
43000 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
10+ |
TSOP-6 |
959 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TSOP-6 |
2960 |
誠(chéng)信交易大量庫(kù)存現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
TSOP-6 |
59427 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價(jià) | ||
IR |
2022+ |
SOT-23-6 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
IR |
23+ |
SOT23-6 |
69000 |
全新原裝現(xiàn)貨熱賣/代理品牌/可申請(qǐng)樣品和規(guī)格書 |
詢價(jià) | ||
IR |
0601 |
323 |
公司優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 熱賣中! |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
21+ |
SOT236 Thin TSOT236 |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
IR |
22+ |
TSOP-6 |
354000 |
詢價(jià) |