零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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GJ60N03 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司 | GTM | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司 | GTM | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司 | HMSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司 | HMSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司 | HMSEMI | ||
N-ChannelMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
N-ChannelLogicLevelMOSFETs | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30V(D-S)175?CMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel30V(D-S)175?CMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES ?Channeltemperature175degreerated ?Superlowon-stateresistance RDS(on)=3.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) ?Highcurrentrating ID(DC)=±60A ?Lowinputcapacitance Ciss=5000pFTYP. ?DesignedforautomotiveapplicationandAEC | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司 | VBSEMI |
詳細參數(shù)
- 型號:
GJ60N03
- 制造商:
GTM
- 制造商全稱:
GTM
- 功能描述:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GTM |
23+ |
NA |
39960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
XIANYI |
21+ |
標準封裝 |
1322 |
進口原裝,訂貨渠道! |
詢價 | ||
MURATA |
新 |
7000 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價 | |||
MURATA |
2023+ |
SMD |
230000 |
安羅世紀電子只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
MUR |
23+ |
NA |
336486 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
SMD |
100000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
2024+ 原裝正品 |
SMD |
8650000 |
一級代理 正品保證 渠道價優(yōu)一站式配套 |
詢價 | |||
PANDUIT |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
G |
23+ |
TO-252 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
G |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 |
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