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MM3Z3V6

Marking：G2；Package：SOD-323；SURFACE MOUNT ZENER DIODES

FEATURES ?PlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?Generalpurpose,MediumCurrent ?IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

MMSZ5227B

Marking：G2；Package：SOD-123；SOD-123 Plastic-Encapsulate Zener Diodes

Features PlanarDieConstruction Ultra-SmallSurfaceMountPackage Generalpurpose,MediumCurrent 350mWPowerDissipationOnCeramicPBC IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

MMSZ5227B

Marking：G2；Package：SOD-123；ZENER DIODES

PlanarDieConstruction 500mWPowerDissipation 2.4V-75VStandoffVoltage 5NominalZenerVoltage DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial-ULRecognitionFlammability Classification94V-O ThisisaHalogenFreeDevice AllSMCpartsaretraceabletothewaferlot Additional

SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD

桑德斯微電子桑德斯微電子器件（南京）有限公司

MMSZ5227BS

Marking：G2；Package：SOD-323；SOD-323 Plastic-Encapsulate Zener Diodes

Features PlanarDieConstruction Ultra-SmallSurfaceMountPackage 350mWPowerDissipationOnCeramicPBC Generalpurpose,MediumCurrent IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

PDTA123YM

Marking：G2；Package：SC-101；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 10 kW

Features *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PESD5V0S1UL

Marking：G2；Package：SOD882；Unidirectional ESD protection diodes

1.1Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesinaSOD882leadlessultra smallSurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotectonesignalline fromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Featuresandbenefits 1.3Applicatio

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PESD5V0S1UL-Q

Marking：G2；Package：SOD882；Unidirectional ESD protection diode

1.Generaldescription UnidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodeinaSOD882leadlessultrasmall SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage,designedtoprotectonesignallinefromthe damagecausedbyESDandothertransients. 2.Featuresandbenefits ?UltrasmallSM

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

PTVS75VP1BPL

Marking：G2；Package：CFP5-FL；600 W Transient Voltage Suppressor

1.Generaldescription 600Wbi-directionalTransientVoltageSuppressor(TVS)inaCFP5-FL(SOD128FL)smallandflat leadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage,designedfortransientvoltageprotection. 2.Featuresandbenefits ?Ratedpeakpulsepowerat10/1000μswaveform:PPPM=

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安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司

SD15-01FTG

Marking：g2；Package：SOD323；450W Discrete Unidirectional TVS Diode

Description TheUnidirectionalSDseriesisdesignedforuseinelectronicequipmentforlowspeedandDCapplications.Itwillprotectanysensitiveequipmentfromdamageduetoelectrostaticdischarge(ESD)andothertransientevents. TheSDseriescansafelyabsorbrepetitiveESDstrikesat±

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

UPG2158T5K-E2

Marking：G2；Package：TSSON；GaAs INTEGRATED CIRCUIT

FEATURES ?Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=1.8to5.3V(2.7VTYP.) :Vcont(L)=?0.2to+0.2V(0VTYP.) ?Lowinsertionloss:LINS1=0.40dBTYP.@f=0.05to1.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0V :LINS2=0.45dBTYP.@f=1.0to2.0GHz,Vcont(H)=2.7V,Vcont(L)=0

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    G20

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_靜噪放大 （LN）_寬頻帶放大

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    0.625W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    A-11

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0.625

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    G2

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 衰減器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 衰減值：

    34dB

  • 封裝/外殼：

    TO-8 形式，4 引線

  • 描述：

    ATTENUATOR,VOLTAGE,CONTROLLED

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更多G2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-31 10:01:00

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