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G60

ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS

PRODUCTDESCRIPTION TheGSeriesisalineofminiature,versatilecomponentlevelbuildingblocksthatprovideupto6kV,positiveornegative,inacompactPCmountpackage.Theisolatedoutputisdirectlyproportionaltotheinput,andislinearfromapproximately0.7voltsin.Excellentflter

XPPOWER

XP Power Limited

G60

Package：4-DIP 模塊；包裝：管件 類別：電源 - 板安裝 直流轉(zhuǎn)換器 描述：DC DC CONVERTER 6000V 1.5W

XPP

XP Power

G601

5WATTS SINGLE OUTPUT DC/DC INDUSTRIAL

Features ?Lowripple ?Miniaturecasesize ?LowEMI/RFIsinewaveoscillator ?Proportionalinput/output ?User-selectableoutputpolarity ?Lowcost/highperformance ?MTBF>2.29millionhrsperBellcoreTR-332

POWERBOX

Powerbox manufactures

G60CT

ISOLATED, PROPORTIONAL DC TO HV DC CONVERTERS

PRODUCTDESCRIPTION TheGSeriesisalineofminiature,versatilecomponentlevelbuildingblocksthatprovideupto6kV,positiveornegative,inacompactPCmountpackage.Theisolatedoutputisdirectlyproportionaltotheinput,andislinearfromapproximately0.7voltsin.Excellentflter

XPPOWER

XP Power Limited

G60H65DFB

Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

G60KN30I

Marking：G60KN30；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60KN30Iusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G60KN30IA

Marking：G60KN30；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60KN30IAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G60N04D5

Marking：G60N04；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60N04D5usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G60N04D52

Marking：G60N04；Package：DFN5X6-8LDual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60N04D52usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

G60N04D52A

Marking：G60N04；Package：DFN5X6-8LDual；DUAL N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheG60N04D52Ausesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AECQQualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號：

    G60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

  • 性質(zhì)：

    射頻/高頻放大 （HF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    1.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    1.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    NO

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    1.5

  • wtest：

    1.2

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    G60

  • 制造商：

    XP Power

  • 類別：

    電源 - 板安裝 > 直流轉(zhuǎn)換器

  • 系列：

    XP EMCO - G (1.5W)

  • 包裝：

    管件

  • 類型：

    高電壓 - 隔離模塊

  • 電壓 - 輸入（最小值）：

    0.7V

  • 電壓 - 輸入（最大值）：

    12V

  • 電壓 - 輸出 1：

    6000V

  • 電流 - 輸出（最大值）：

    250μA

  • 應(yīng)用：

    ITE（商業(yè)）

  • 特性：

    比例輸出

  • 工作溫度：

    -10°C ~ 60°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    4-DIP 模塊

  • 大小 / 尺寸：

    1.50" 長 x 1.50" 寬 x 0.63" 高（38.1mm x 38.1mm

  • 描述：

    DC DC CONVERTER 6000V 1.5W

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
XP Power
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更多G60供應(yīng)商 更新時間2025-3-14 15:55:00

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