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FTN01N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
GE01N60	文件：297.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE01N60	文件：294.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGE01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.ThedeviceissuitedforDC-DC,DC-ACconvertersfortelecom,industrialandconsumerenvironment. Features *Dynami	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI01N60	文件：288.98 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
GI01N60	文件：237.94 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ01N60	文件：238.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheGJ01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsand suitedforAC/DCconverters. Features Dynamicdv/dtRating SimpleDriveRequir	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM01N60D/U	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H01N60	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60I	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60J	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60S	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60SI	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60SJ	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
M01N60	文件：174.41 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET [STANSONTECHNOLOGY] RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
M01N60	文件：190.91 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
MSL01N60	文件：593.74 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFETs	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NDD01N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FSP01N60A	IPS	2022+	TO-220	50000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
深圳龐田科技有限公司	FSP01N60A	IPS	2023+	TO-220	20000	AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	FSP01N60A	IPS	2022+	TO-220	30000	進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝假一罰十	詢價
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更多FSP01N60A供應商更新時間2024-12-29 14:02:00

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