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GJ01N60	文件：238.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description TheGJ01N60providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsand suitedforAC/DCconverters. Features Dynamicdv/dtRating SimpleDriveRequir	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
GM01N60D/U	文件：468.13 Kbytes Page：10 Pages	MinisizeofDiscretesemiconductorelements	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
H01N60	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60I	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60J	文件：59.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60S	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60SI	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
H01N60SJ	文件：62.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerFieldEffectTransistor Description ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegratdingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientde	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
M01N60	文件：174.41 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET [STANSONTECHNOLOGY] RobustHighVoltageTemination. AvalancheEnergySpecified Source-toDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircurits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature	STANSON Stanson Technology	STANSON
M01N60	文件：190.91 Kbytes Page：5 Pages	NChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
MSL01N60	文件：593.74 Kbytes Page：6 Pages	600VN-ChannelMOSFETs	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDD01N60	文件：1.08604 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NDD01N60	文件：298.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDDL01N60Z	文件：299.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=0.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
NDDL01N60Z	文件：130.09 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDT01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDT01N60	文件：136.15 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET600V,8.5ohm	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NDTL01N60Z	文件：130.09 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
GJ01N60
制造商：
GTM
制造商全稱：
GTM
功能描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市勤思達科技有限公司	GJ01N60	GTM	12+	TO-252	15000	全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	GJ01N60	GTM	23+	NA	39960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	GJ01N60	GTM	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	GJ01N60	SECOS	22+	SOT-252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市金芯世紀電子有限公司	GJ01N60	SECOS	22+	SOT-252	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市星宇佳科技有限公司	GJ01N60	GTM	04PB	TO252	1377		詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	GJ026-6P6C12		24+	N/A	82000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	GJ02N60	GTM	23+	TO-252	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市紐聯(lián)電子有限公司	GJ0335C1ER90BB01D	MUR			156000	全新原裝現(xiàn)貨樣品可售	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	GJ0335C1ER90BB01D	MUR	24+		68900	一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126	詢價

更多GJ01N60供應(yīng)商更新時間2025-1-17 11:04:00

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