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FTK3N80D	文件：223.46 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N80F	文件：223.46 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N80I	文件：223.46 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N80P	文件：223.46 Kbytes Page：6 Pages	3Amps,800VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HFD3N80	文件：1.20655 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFP3N80	文件：870.6 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFS3N80	文件：1.2775 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFU3N80	文件：1.20655 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM3N80	文件：956.28 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
ISC3N80F	文件：323.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFA3N80	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackage ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveload Switching(UIS) Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFA3N80	文件：333.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFP3N80	文件：100.19 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs Features ●Internationalstandardpackage ●LowRDS(on) ●RatedforunclampedInductiveload Switching(UIS) Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP3N80	文件：295.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELD GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=2.7A ?Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N80D	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=2.7A ?Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N80D/I	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=2.7A ?Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N80DI	文件：394.03 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID=2.7A ?Drain-S	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N80F	文件：390.07 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforactivepowerfactorcorrectionandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS=800V,ID	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
KF3N80F	文件：1.28967 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtRating ?RepetitiveAvalancheRated ?IsolatedCentralMountingHole ?FastSwitching ?EaseofParalleling ?SimpleDriveRequirements ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FQPF3N80CYDTU
功能描述：
MOSFET N-CH/800V/3A/C-FET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	onsemi(安森美)	23+	TO-220F	7828	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQPF3N80CYDTU	FSC	1822+	TO220F	6852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險!!	詢價
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瀚佳科技(深圳)有限公司	FQPF3N80CYDTU	FSC	21+	TO220F	65200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市艾宇特電子科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	FAIRCHILD/仙童	2048+	TO220F	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	Fairchild/ON	22+	TO2203	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價
深圳市鵬順微電子科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	ON Semiconductor	2022+	TO-220-3 全封裝,成形引線	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價
深圳市富芯樂電子科技有限公司	FQPF3N80CYDTU	FSC	22+	NA	27003	全新原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市旺財半導(dǎo)體有限公司	FQPF3N80CYDTU	Fairchild	23+		33500		詢價

更多FQPF3N80CYDTU供應(yīng)商更新時間2024-11-7 13:44:00

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