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FQD6N60C_STMICROELECTRONICS/意法半導體_MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET鵬錦翔科技1部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FQD6N60C
- 功能描述:
MOSFET 600V N-Ch MOSFET QFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市鵬錦翔科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張經(jīng)理
- 詢價:
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北新欣大廈B座320
相近型號
- FQD6N50CTF
- FQD6N60CTM-WS
- FQD6N50CSTK830D
- FQD6N65C
- FQD6N50C
- FQD6N6OC
- FQD6N50
- FQD6N70C
- FQD6N40TM-NL
- FQD6N80
- FQD6N40TM
- FQD6P10
- FQD6N40TF
- FQD6P25
- FQD6N40CTM-VB
- FQD6P25TF
- FQD6N40CTM-NBEA002
- FQD6N40CTMMOS
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- FQD6N40CTM_NBEA002
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- FQD7244S
- FQD6N40
- FQD7N10
- FQD7N10/L
- FQD7N10L
- FQD6N25TM
- FQD7N10L-NL
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- FQD7N10LTF
- FQD6N25
- FQD7N10LTM
- FQD6N15TF-NL
- FQD7N10LTM(UMW)
- FQD6N15TF
- FQD7N10LTMMOS
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- FQD7N10LTM-VB
- FQD6N10
- FQD7N10L-VB
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- FQD6688
- FQD7N10TF
- FQD630TM-NL