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FQD3N60CTM_WS數(shù)據(jù)手冊中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FQD3N60CTM_WS

功能描述

Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 600 V, 2.4 A, 3.4 ?, DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-2 11:01:00

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FQD3N60CTM_WS規(guī)格書詳情

描述 Description

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

特性 Features

?2.4A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 1.2A柵極電荷低(典型值:10.5nC)
?低 Crss(典型值5pF)
?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試
?100% avalanche tested

應(yīng)用 Application

? 照明

技術(shù)參數(shù)

  • 型號

    :fqd3n60ctm_ws

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    :?Active??

  • Description

    :?N-Channel QFET? MOSFET 600V

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :?

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :2.4

  • PD Max (W)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3400

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10.5

  • Ciss Typ (pF)

    :435

  • Package Type

    :DPAK-3 / TO-252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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