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FQD3N60CTM_WS

Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 600 V, 2.4 A, 3.4 ?, DPAK; ?2.4A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.2A柵極電荷低（典型值：10.5nC)\n?低 Crss（典型值5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQD3N60CTM-WS

功率 MOSFET，N 溝道，QFET?，600 V，2.4 A，3.4 ?，DPAK; ?2.4A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.2A柵極電荷低（典型值：10.5nC)\n?低 Crss（典型值5pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?100% avalanche tested\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻，并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQI3N60

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP3N60

600VN-ChannelMOSFET

TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQP3N60C

600VN-ChannelMOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance：

    Pb-freeHalide free

  • Status：

    ?Active??

  • Description：

    ?N-Channel QFET? MOSFET 600V

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    ?

  • V(BR)DSS Min (V)：

    600

  • VGS Max (V)：

    ±30

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    2.4

  • PD Max (W)：

    50

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    3400

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    10.5

  • Ciss Typ (pF)：

    435

  • Package Type：

    DPAK-3 / TO-252-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FQD3N60CTM_WS供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 11:38:00

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