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零件編號(hào) | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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FMP16N60ES | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社 | Fuji | |
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET | FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社 | Fuji | ||
N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET | FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社 | Fuji | ||
siliconN-channelEnhancedVDMOSFETs | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司 | HMSEMI | ||
PowerMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SMPSMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=460mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. | KERSEMI | ||
PowerMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
SMPSMOSFET | IRF International Rectifier | IRF | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=470mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56? PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features ?IsolatedSubstrate ?highisolationvoltage(>2500V) ?excellentthermaltransfer ?Incre | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56? PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features ?IsolatedSubstrate ?highisolationvoltage(>2500V) ?excellentthermaltransfer ?Incre | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56? PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features ?IsolatedSubstrate ?highisolationvoltage(>2500V) ?excellentthermaltransfer ?Incre | IXYS IXYS Corporation | IXYS | ||
Triac | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán) | KODENSHI | ||
Triac | KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán) | KODENSHI | ||
16.5AMP/600Volts0.40ohmN-ChannelPowerMOSFET | SSDI Solid States Devices, Inc | SSDI |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào):
FMP16N60ES
- 制造商:
FUJI
- 制造商全稱:
Fuji Electric
- 功能描述:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
F |
23+ |
TO-220AB |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FUJI/富士電機(jī) |
2022+ |
TO-220 |
50000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
FUJI |
原廠封裝 |
1000 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
FUJI/富士電機(jī) |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FUJI/富士電機(jī) |
23+ |
N/A |
11550 |
FUJI/富士電機(jī)系列在售 |
詢價(jià) | ||
FUJI/富士電機(jī) |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
FUJI/富士電機(jī) |
23+ |
N/A |
9000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
三肯 |
24+ |
TO |
12300 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
三肯 |
23+ |
TO |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
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