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FMMT720	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT720	文件：38.04 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor ■Features ●Switchingtransistor ●Extremelylowsaturationvoltage ●ComplementaryNPNtype:FMMT619	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT720	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT720	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT720	文件：1.92109 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURE Switchingtransistor Extremelylowsaturationvoltage ComplementaryNPNtype:FMMT619 APPLICATION GateDrivingMOSFETsandIGBTs DC-DCconverters Chargingcircuit Powerswitches	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
FMMT720TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMT720	文件：235.18 Kbytes Page：2 Pages	Identifyyourunshieldedtwisted-pair(UTP)systemswithcolor-codedSnaglessPre-Plugs.	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
FTA720	文件：219.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) TRANSISTOR(PNP) FEATURES ForLow-FrequencyPowerAmplification andDriverAmplification	FS First Silicon Co., Ltd	FS
H720	文件：59.44 Kbytes Page：1 Pages	SubminiatureKryptonLamswithLens(Clear)-End	GILWAY Gilway Technical Lamp	GILWAY
HD720	文件：426.03 Kbytes Page：2 Pages	Dustproof	A-DATAA-Data Technology 威剛科技威剛科技股份有限公司	A-DATA
HD720	文件：184.11 Kbytes Page：2 Pages	ThermalGapFiller PRODUCTDESCRIPTION Tflex?HD700thermalgapfillercombines5W/mKthermalconductivitywithsuperiorpressure versusdeflectioncharacteristics.Thecombinationwillallowminimalstressoncomponents whilealsoyieldinglowthermalresistance.Asaresult,lessmechanicalandthermalstresse	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
HE720	文件：553.9 Kbytes Page：2 Pages	DashDriveEliteHE720PortableHardDrive	A-DATAA-Data Technology 威剛科技威剛科技股份有限公司	A-DATA
HI720	文件：820.14 Kbytes Page：8 Pages	Automaticfiredetectors	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
HX720	文件：51.87 Kbytes Page：1 Pages	24-BitADCwithOn-chip3.3VOutputRegulator	AVIAAvia Semiconductor Co., Ltd. 海芯科技海芯科技（廈門）有限公司	AVIA
IGL720R	文件：3.83504 Mbytes Page：81 Pages	LockingDevices	COOPER COOPER	COOPER
IRF720	文件：164.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs(on) ?VGS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF720	文件：273.52 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowerRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fastswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowerinputcapacitance ?Extendedsafeoperationarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF720	文件：54.43 Kbytes Page：7 Pages	3.3A,400V,1.800Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF720	文件：554.36 Kbytes Page：8 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL 400Volt,1.8OhmHEXFETTO-220ABPlasticPackage TheHEXFET?technologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistor. FEATURES: ■RepetitiveAvalancheRatings ■Dynamicdv/dtRatings ■SimpleDriveRequirement ■EaseofParalleling	IRF International Rectifier	IRF
IRF720	文件：1.60226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FM720
制造商：
Black Box Corporation

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更多FM720供應(yīng)商更新時間2024-12-25 17:55:00

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